國產(chǎn)內(nèi)存芯片和三星技術(shù)差距是幾年？答案揭曉

　　數(shù)字經(jīng)濟時代，芯片扮演著重要角色。得益于人才聚集、產(chǎn)業(yè)升級、政策扶持等，我國的半導體產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展，并不斷拉近與先進地區(qū)、企業(yè)的差距。

　　日前，韓國研究機構(gòu)OERI在報告中稱，估計韓企和中國廠商在DRAM芯片的技術(shù)差距已縮短至5年。

　　具體來說，三星和SK海力士計劃在年底前投產(chǎn)第五代10nm級（1b或者說12nm）內(nèi)存芯片，國產(chǎn)DRAM代表企業(yè)合肥長鑫今年的打算則是第二代10nm（1y或者說16/17nm）。

　　一般而言，DRAM每一代的演進時間是2年到2年半。

　　按照正常節(jié)奏，國產(chǎn)內(nèi)存芯片完全有機會進一步縮短差距，可目前有一個比較棘手的問題在于，三星和SK海力士已經(jīng)為生產(chǎn)更先進的DRAM芯片引入了EUV（極紫外光刻）設(shè)備，而這對我們來說，暫時還沒法獲取。