近日,全球氮化鎵行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者英諾賽科向聯(lián)交所遞交上市申請(qǐng),聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國(guó)際。
其招股書(shū)顯示,英諾賽科專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵的應(yīng)用與研發(fā),是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司、全球最大的8英寸硅基氮化鎵器件制造商,也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。
全球少有的IDM半導(dǎo)體企業(yè)
為了能夠?qū)υO(shè)計(jì)、制造到測(cè)試的整個(gè)過(guò)程進(jìn)行自主控制,英諾賽科采用IDM業(yè)務(wù)模式。據(jù)悉,由于在規(guī)模投入和運(yùn)營(yíng)成本等方面的門(mén)檻較高,至今全球范圍內(nèi)僅有極少數(shù)企業(yè)能夠維持IDM運(yùn)作模式。
在IDM模式下,公司的研發(fā)及制造工作在整個(gè)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及交付過(guò)程中能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)縫協(xié)調(diào),主要產(chǎn)品在全流程控制中實(shí)現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn),使其能夠滿(mǎn)足廣大客戶(hù)的需求,并迅速擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。同時(shí),基于對(duì)氮化鎵技術(shù)的持續(xù)優(yōu)化,公司能夠?qū)崿F(xiàn)公司更有效地管理成本,從而能夠采用更具競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià),進(jìn)一步凸顯公司的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
根據(jù)弗若斯特沙利文的資料,按收入計(jì),英諾賽科于2023年在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。截至2023年12月31日,英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,產(chǎn)能達(dá)到每月10,000片晶圓。相較于6英寸硅基氮化鎵晶圓,公司先進(jìn)的量產(chǎn)技術(shù)亦使晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%,單一器件成本降低30%,體現(xiàn)了其在成本控制與生產(chǎn)效率上的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
全球化布局 氮化鎵出貨量全球第一
公司在發(fā)展中國(guó)內(nèi)地市場(chǎng)的同時(shí),不斷拓展境外市場(chǎng)。公司在蘇州、珠海建立工廠的同時(shí),還在硅谷、首爾、比利時(shí)等地設(shè)立子公司,2023年公司境外銷(xiāo)售收入近人民幣5800萬(wàn)元,占同期總收入近10%。全球化的業(yè)務(wù)布局,有助于迅速提升公司的知名度與全球影響力,推動(dòng)公司業(yè)務(wù)的持續(xù)高速發(fā)展。
此外,公司在全球有約700項(xiàng)專(zhuān)利及專(zhuān)利申請(qǐng),涵蓋芯片設(shè)計(jì)、器件架構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測(cè)試等關(guān)鍵領(lǐng)域。憑借在GaN技術(shù)方面的全面專(zhuān)業(yè)技術(shù),英諾賽科提供高性能及可靠的GaN分立器件,產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1,200V的低、中及高電壓范圍,并提供不同的封裝選擇。
截至2023 年12 月31 日,英諾賽科氮化鎵分立器件累計(jì)出貨量超過(guò)5 億顆,系目前全球氮化鎵出貨量最大的企業(yè)。根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù),公司已在氮化鎵應(yīng)用的多個(gè)子領(lǐng)域取得突破,使我們成為唯一一家與全球主要公司進(jìn)行供應(yīng)合作的中國(guó)氮化鎵半導(dǎo)體芯片公司。在2023年,英諾賽科已向中國(guó)內(nèi)地和海外(包括亞洲、歐洲和北美)約100名客戶(hù)提供了氮化鎵產(chǎn)品。
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